◎仕様
･本体構成
光学センサー S-150Z/200/信号処理ユニット P-100Z
･測定速度範囲 -75～15,000mm/sec
･光学センサー（S-150Z/200） 測定点距離 200mm（センサー端面より）
･測定点深度 ±5mm（測定点距離より）
･外形寸法 77mm（W）×245mm（D）×65.5mm（H）
･信号処理ユニット（P-100Z） パルス出力
･測長分解能 7.5～60μm/pulse（レンジ切替え4段階）
･ドップラ出力周波数範囲 180～4200kHz
FV出力 出力レンジ切替え
レンジ 1 -75～15,000mm/sec:-0.025～5V
レンジ 2 -75～1875mm/sec:-0.2～5V
レンジ 3 -75～937.5mm/sec:-0.4～5V
レンジ 4 -75～468.75mm/sec:-0.8～5V
･変動周波数応答 0～300Hz

仕様
・ラジアル剛性（N/µm） 34.3
・アキシャル剛性（N/µm） 205.8
・常用ラジアル負荷容量（N） 68.6
・MAXラジアル負荷容量（N） 85.8
・常用アキシャル負荷容量（N） 411.6
・MAXアキシャル負荷容量（N） 514.5
・ラジアル回転精度（µm） 0.05
・アキシャル回転精度（µm） 0.03
・回転数MAX（rpm） 15,000
・空気消費量（Nl/min） 8
・回転部 慣性モーメント（kg・m2） 1.32×10-3
・重量（kg） 3.9

仕様
・ラジアル剛性（N/µm） 205.8
・アキシャル剛性（N/µm） 1176
・常用ラジアル負荷容量（N） 411.6
・MAXラジアル負荷容量（N） 514.5
・常用アキシャル負荷容量（N） 2352
・MAXアキシャル負荷容量（N） 2940
・ラジアル回転精度（µm） 0.05
・アキシャル回転精度（µm） 0.03
・回転数MAX（rpm） 2,500
・空気消費量（Nl/min） 35
・回転部 慣性モーメント（kg・m2） 2.77×10-1
・重量（kg） 77.0

仕様
・ラジアル剛性（N/µm） 166.6
・アキシャル剛性（N/µm） 705.6
・常用ラジアル負荷容量（N） 333.2
・MAXラジアル負荷容量（N） 416.5
・常用アキシャル負荷容量（N） 1411
・MAXアキシャル負荷容量（N） 1764
・ラジアル回転精度（µm） 0.05
・アキシャル回転精度（µm） 0.03
・回転数MAX（rpm） 3,000
・空気消費量（Nl/min） 20
・回転部 慣性モーメント（kg・m2） 6.00×10-2
・重量（kg） 39.0

仕様
・ラジアル剛性（N/µm） 98.0
・アキシャル剛性（N/µm） 558.6
・常用ラジアル負荷容量（N） 196.0
・MAXラジアル負荷容量（N） 245.0
・常用アキシャル負荷容量（N） 1117.0
・MAXアキシャル負荷容量（N） 1397.0
・ラジアル回転精度（µm） 0.05
・アキシャル回転精度（µm） 0.03
・回転数MAX（rpm） 5,000
・空気消費量（Nl/min） 15
・回転部 慣性モーメント（kg・m2） 2.98×10-2
・重量（kg） 22.0

仕様
・ラジアル剛性（N/µm） 55.9
・アキシャル剛性（N/µm） 323.4
・常用ラジアル負荷容量（N） 111.8
・MAXラジアル負荷容量（N） 139.8
・常用アキシャル負荷容量（N） 646.8
・MAXアキシャル負荷容量（N） 808.5
・ラジアル回転精度（µm） 0.05
・アキシャル回転精度（µm） 0.03
・回転数MAX（rpm） 10,000
・空気消費量（Nl/min） 10
・回転部 慣性モーメント（kg・m2） 4.85×10-3
・重量（kg） 8.5

仕様
・ラジアル剛性（N/µm） 49
・アキシャル剛性（N/µm） 35.3
・常用ラジアル負荷容量（N） 98.0
・MAXラジアル負荷容量（N） 122.5
・常用アキシャル負荷容量（N） 70.6
・MAXアキシャル負荷容量（N） 88.2
・ラジアル回転精度（µm） 0.05
・アキシャル回転精度（µm） 0.03
・回転数MAX（rpm） 22,000
・空気消費量（Nl/min） 12
・回転部 慣性モーメント（kg・m2） 2.47×10-4
・重量（kg） 2.3

仕様
・ラジアル剛性（N/µm） 24.5
・アキシャル剛性（N/µm） 35.3
・常用ラジアル負荷容量（N） 49.0
・MAXラジアル負荷容量（N） 61.3
・常用アキシャル負荷容量（N） 70.6
・MAXアキシャル負荷容量（N） 88.2
・ラジアル回転精度（µm） 0.05
・アキシャル回転精度（µm） 0.03
・回転数MAX（rpm） 20,000
・空気消費量（Nl/min） 6
・回転部 慣性モーメント（kg・m2） 1.92×10-4
・重量（kg） 1.5

仕様
・ラジアル剛性（N/µm） 12.7
・アキシャル剛性（N/µm） 19.6
・常用ラジアル負荷容量（N） 25.4
・MAXラジアル負荷容量（N） 31.8
・常用アキシャル負荷容量（N） 39.2
・MAXアキシャル負荷容量（N） 49.0
・ラジアル回転精度（µm） 0.07
・アキシャル回転精度（µm） 0.04
・回転数MAX（rpm） 30,000
・空気消費量（Nl/min） 4
・回転部 慣性モーメント（kg・m2） 1.23×10-5
・重量（kg） 0.3

◎仕様
･本体構成
光学センサー S-100Z /信号処理ユニット P-100Z
･測定速度範囲 -50～10,000mm/sec
･光学センサー（S-100Z） 測定点距離 40mm（センサー端面より）
･測定点深度 ±5mm（測定点距離より）
･外形寸法 33mm（W）×98mm（D）×30mm（H）
･信号処理ユニット（P-100Z） パルス出力 測長分解能 5～40μm/pulse（レンジ切替え4段階）
･ドップラ出力周波数範囲 180～4200kHz
･FV出力 出力レンジ切替え
レンジ 1 -50～10,000mm/sec:-0.025～5V
レンジ 2 -50～1250mm/sec:-0.2～5V
レンジ 3 -50～625mm/sec:-0.4～5V
レンジ 4 -50～312.5mm/sec:-0.8～5V
･変動周波数応答性 0～300Hz

◎仕様
･本体構成
光学センサーS-100Z /信号処理ユニット P-20Z
･測定速度範囲 -200～2000mm/sec
･光学センサー（S-100Z） 測定点距離 40mm（センサー端面より）
･測定点深度 ±5mm（測定点距離より）
･外形寸法 33mm（W）×98mm（D）×30mm（H）
･信号処理ユニット（P-20Z） パルス出力
･測長分解能 2.5～320µm/pulse（レンジ切替え8段階）
･ドップラ出力周波数範囲 120～1000kHz（-80～800kHz）
･FV出力 出力レンジ切替え
レンジ 1 -200～2000mm/sec：-0.5～5Ｖ
レンジ 2 -200～1000mm/sec：-1.0～5V
レンジ 3 -200～500mm/sec：-2.0～5V
レンジ 4 -200～250mm/sec：-4.0～5V
･変動周波数応答性 0～300Hz

■ディップスイッチによりアップ／ダウンパルス出力、またはA相B相矩形波出力の選択が可能
■1000～100分割まで、8段階の分割数セレクトが可能
◎仕様
･A相、B相：差動ラインドライバー出力
･アップ／ダウン：差動ラインドライバー出力
･Z相：差動ラインドライバー出力（A相、B相とは非同期）
･Z相パルス幅 100±20µsec
･電源電圧 DC＋5V ±5％
◎環境条件
･動作温度 10℃～40℃
･保存温度 -10℃～50℃
･湿度 80％RH以下（結露無きこと）
･振動 10G , 500Hz以下（ヘッド）/3G , 200Hz以下（スケール）
･衝撃 60G , 11msec以下
◎スケール
･格子ピッチ：3.2µm（at 23℃）
･有効長別直線精度（注：台座ありの場合）
MS-16／10 mm：±0.09µm
（レーザー干渉測長器との比較測定において at 23℃）
膨張係数 5.2×10-7/℃（石英）

■ディップスイッチによりアップ／ダウンパルス出力、またはA相B相矩形波出力の選択が可能
■1000～100分割まで、8段階の分割数セレクトが可能
◎仕様
･A相、B：差動ラインドライバー出力
･アップ／ダウン：差動ラインドライバー出力
･Z相：差動ラインドライバー出力（A相、B相とは非同期）
･Z相パルス幅：100±20µsec
･電源電圧：DC＋5V ±5％
◎環境条件
･動作温度：10℃～40℃
･保存温度：-10℃～50℃
･湿度：80％RH以下（結露無きこと）
･振動：10G , 500Hz以下（ヘッド）/3G , 200Hz以下（スケール）
･衝撃：60G , 11msec以下
◎スケール
･格子ピッチ：1.6µm（at 23℃）
･有効長別直線精度（注：台座ありの場合）
MS-08／10 mm：±0.08µm
（レーザー干渉測長器との比較測定において at 23℃）
膨張係数 5.2×10-7/℃（石英）

◎仕様
･A相B相信号：矩形波出力/差動ラインドライバー出力
･Z相パルス出力：差動ラインドライバー出力（A相、B相とは非同期）
･分解能：0.01µm（80分割）
･最大応答周波数：矩形波出力：100kHz（80分割）
･電源電圧：DC＋5V ±5％
◎環境条件
･動作温度 10℃～40℃
･保存温度 -10℃～50℃
･湿度 80％RH以下（結露無きこと）
･振動 10G , 500Hz以下（ヘッド）/3G , 200Hz以下（スケール）
･衝撃 60G , 11msec以下
◎スケール
･格子ピッチ 1.6µm（at 23℃）
･有効長 10mm（台座あり）
･有効長別直線精度（注：台座ありの場合）
･MS-08／10 ：±0.08µm
（レーザー干渉測長器との比較測定において at 23℃）
･熱膨張係数：5.2×10-7/℃（石英）

◎仕様
･A相B相信号：矩形波出力/差動ラインドライバー出力
･Z相パルス出力：差動ラインドライバー出力（A相、B相とは非同期）
･分解能：0.01µm（80分割）
･最大応答周波数 矩形波出力：100kHz（80分割）
･電源電圧 DC＋5V ±5％
◎環境条件
･動作温度：10℃～40℃
･保存温度：-10℃～50℃
･湿度：80％RH以下（結露無きこと）
･振動：10G , 500Hz以下（ヘッド）/3G , 200Hz以下（スケール）
･衝撃：60G , 11msec以下
◎スケール
･格子ピッチ：1.6µm（at 23℃）
･有効長：10mm（台座あり）
･有効長別直線精度（注：台座ありの場合）
･MS-08／10 ：±0.08µm
（レーザー干渉測長器との比較測定において at 23℃）
･熱膨張係数：5.2×10-7/℃（石英）

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン
・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能
・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応
・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応　
・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能
・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能
【標準品hp75nm～200nm　混在モールド】
基板サイズ：20nm□
基板厚：0.85㎜
材質：合成石英
パターン領域：4mm□
パターン幅：75m/100nm/150nm/200nm
パターン深さ：200nm

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン
・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能
・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応
・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応
・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能
・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能
【moth-eye標準品（2種用意）】
・パターン寸法：P=160nm/P=200nm/P=250
・パターン形状：正方配列(P=160、200nm)/三方配列（P=250nm）
・パターン深さ：350nm±35nm
・パターンエリア：□24mm（共通）
【標準品共通仕様】
・材質：合成石英
・外形寸法：34㎜×32㎜
・基板厚：0.85mm±0.05㎜
・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能
・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応
・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応
・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能
・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能
【ピラーパターン標準品（2種用意）】
・パターン寸法：P=250nm/P=350nm
・パターン形状：三方配列(P=250nm)/正方配列（P=350nm）
・パターン深さ：250nm±25nm(P=250nm)/P=350nm±35nm（P=350nm）
・パターンエリア：□24mm（共通）
【標準品共通仕様】
・材質：合成石英
・外形寸法：34㎜×32㎜
・基板厚：0.85mm±0.05㎜
・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン
・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能
・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応
・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応
・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能
・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 　　　
【L&Sパターン標準品（3種用意）】
パターン寸法：hp60nm/hp75nm/hp100nm
パターン深さ：150nm±15nm（各hp共通）
パターンエリア：□24mm（各hp共通）
【標準品共通仕様】
材質：合成石英
外形寸法：34mm×32mm
基板厚：0.85mm±0.05mm
熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

◎電気的仕様
･本体パルス：225,000パルス/回転
･出力：正弦波インクリメンタル信号
･平衡出力（ A , /A , B , /B相正弦波）
･Z相：差動ラインドライバー出力
･最高応答回転速度：180rpm（3rps）
･光源：半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW）
･電源電圧 DC±5V ±5％
電源電流 ＋5V ： 260mA max. -5V ： 60mA max. （無負荷時）
◎機械的仕様
･回転体の慣性モーメント 1.45×103g cm2
･質量（コード含まず）：検出ユニット 1.2kg
･ディスクユニット：0.26kg
◎環境条件
･動作温度 10℃～40℃
･保存温度 -10℃～60℃
･湿度 80％RH以下（結露無きこと）
･振動 5G , 250Hz以下
･衝撃 30G , 11msec以下