最大8インチ石英ウエハに先端半導体プロセスを使用したパターンの提供

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン
・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能
・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応
・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応
・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能
・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 　　　
【L&Sパターン標準品（3種用意）】
パターン寸法：hp60nm/hp75nm/hp100nm
パターン深さ：150nm±15nm（各hp共通）
パターンエリア：□24mm（各hp共通）
【標準品共通仕様】
材質：合成石英
外形寸法：34mm×32mm
基板厚：0.85mm±0.05mm
熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）