最大8インチウエハへ先端半導体プロセスを使用したパターンの提供

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン
・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能
・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応
・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応
・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能
・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能
【moth-eye標準品（2種用意）】
・パターン寸法：P=160nm/P=200nm/P=250
・パターン形状：正方配列(P=160、200nm)/三方配列（P=250nm）
・パターン深さ：350nm±35nm
・パターンエリア：□24mm（共通）
【標準品共通仕様】
・材質：合成石英
・外形寸法：34㎜×32㎜
・基板厚：0.85mm±0.05㎜
・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）