最大8インチウエハへ先端半導体プロセスを使用したパターンの提供

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン
・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能
・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応
・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応　
・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能
・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能
【標準品hp75nm～200nm　混在モールド】
基板サイズ：20nm□
基板厚：0.85㎜
材質：合成石英
パターン領域：4mm□
パターン幅：75m/100nm/150nm/200nm
パターン深さ：200nm