・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能
・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応
・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応
・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能
・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能
【ピラーパターン標準品（2種用意）】
・パターン寸法：P=250nm/P=350nm
・パターン形状：三方配列(P=250nm)/正方配列（P=350nm）
・パターン深さ：250nm±25nm(P=250nm)/P=350nm±35nm（P=350nm）
・パターンエリア：□24mm（共通）
【標準品共通仕様】
・材質：合成石英
・外形寸法：34㎜×32㎜
・基板厚：0.85mm±0.05㎜
・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

◎SR-P200 仕様
･分解能 0.4/1.0/2.0/5.0 μm
･精度　累積精度 ±5μm/100mm　(ガラススケール使用時、ヘッドの分割誤差を除く）
･再現性 ±1カウント
･信号出力 差動デジタルパルス出力(A相・B相・Z相） : ISL32173 またはISL32175
･推奨受信回路 アナログ疑似正弦波出力(A相・B相）: 終端抵抗 100Ω以上
･接続コネクタ 高密度D-Sub15ピン
･耐振動 1.5G 20～250Hz
･衝撃 30G 11msec
･外形寸法 35mm(L)×16mm（W）×8.4（H）
･質量（コード含む） 52g
･動作温度・湿度 0℃～60℃ 90%RH 以下、結露なきこと
･保存温度・湿度 -20℃～60℃ 90%RH 以下、結露なきこと
･適合規格 RoHS, CEマーキング, VCCI(2010), FCC Part-15(2008)

◎SR-P1000 仕様
･電源 DC+5V±5% 250mA max
･光源 LED 中心波長650nm（Typ.）
･動作温度 0～60℃ 90%RH以下（結露無きこと）
･保存温度 -20℃～60℃ 90%RH以下（結露無きこと）
･振動／衝撃 1.5G 20～250Hz / 30G 減衰時間 11msec
･外形寸法 センサーヘッド 23mm(L)×15mm(W)×8.6mm(H)
･分割ユニット 90mm(L)×54mm(W)×20mm(H)
･質量 ヘッド：30g（ケーブル含む） 分割ユニット120g

◎電気的仕様
･本体パルス：81,000パルス/回転
･出力：二相矩形波インクリメンタル信号
･オープンコレクタ出力
･Z相矩形波出力（A相・B相とは非同期）
･累積誤差 20arc-secp-p以内
･最高応答周波数 500kHz
･最高応答回転速度 360rpm（6rps）
･光源 半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW）
･電源電圧 DC±5V ±5％
･電源電流 ＋5V ： 200mA max. -5V ： 100mAmax.（無負荷時）
◎機械的仕様
･許容最高回転数 5,000rpm
･起動トルク 9g cm以下
･質量 80g（コード含まず）
･直径 36mm
･ケーブル長 約300mm
◎環境条件
･動作温度 0℃～50℃
･保存温度 -30℃～80℃
･湿度 90％RH以下（結露無きこと）
･振動 10G , 500Hz以下
･衝撃 30G , 11msec以下

◎電気的仕様
･本体パルス：81,000パルス/回転
･出力：二相矩形波インクリメンタル信号
･ラインドライバー出力
･Z相矩形波ラインドライバー出力（A相・B相とは非同期）
･累積誤差：20arc-secp-p以内
･最高応答周波数：500kHz
･最高応答回転速度：360rpm（6rps）
･光源：半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW）
･電源電圧：DC±5V ±5％
･電源電流：＋5V ： 250mA max. -5V ：100mAmax. （無負荷時）
◎機械的仕様
･許容最高回転数：5,000rpm
･起動トルク：9g cm以下
･質量：95g（コード含まず）
･直径：36mm
･ケーブル長：約300mm
◎環境条件
･動作温度：0℃～50℃
･保存温度：-30℃～80℃
･湿度：90％RH以下（結露無きこと）
･振動：10G , 500Hz以下
･衝撃：30G , 11msec以下

◎電気的仕様
･本体パルス：50,000パルス/回転
･出力：二相矩形波インクリメンタル信号
･ラインドライバー出力
･Z相矩形波ラインドライバー出力（A相・B相とは非同期）
･累積誤差 25arc-secp-p以内
･最高応答周波数 2MHz
･最高応答回転速度 2,400rpm（40rps）
･光源 半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW）
･電源電圧 DC±5V ±5％
･電源電流 ＋5V ： 280mA max. -5V ： 100mAmax. （無負荷時）
･機械的仕様
･許容最高回転数 5,000rpm
･起動トルク 50g cm以下
･質量 260g（コード含まず）
･直径 56mm
◎環境条件
･動作温度 0℃～50℃
･保存温度 -30℃～80℃
･湿度 90％RH以下（結露無きこと）
･振動 10G , 500Hz以下
･衝撃 60G , 11msec以下

◎電気的仕様
･本体パルス：648,000パルス/回転
･出力 A相、B相：矩形波インクリメンタル信号/ラインドライバー出力
Z相：矩形波ラインドライバー出力（A相・B相とは非同期）
･累積誤差 20arc-secp-p以内
･最高応答回転速度 222rpm
･光源 半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW）
･電源電圧 DC±5V ±5％
･電源電流 ＋5V ： 250mA max. -5V ： 50mA max.（無負荷時）
◎機械的仕様
･許容最高回転数：5,000rpm
･起動トルク：9g cm以下
･質量：95g（コード含まず）
･直径：36mm
･ケーブル長：約300mm
◎環境条件
･動作温度 0℃～50℃
･保存温度 -30℃～80℃
･湿度 90％RH以下（結露無きこと）
･振動 5G , 20～200Hz以下
･衝撃 30G , 11msec以下

◎電気的仕様
･本体パルス：81,000パルス/回転
･出力：二相正弦波インクリメンタル信号/アナログ差動出力
･Z相TTL出力
･累積誤差 20arc-secp-p以内
･最高応答回転速度：185rpm（3rps）
･光源：半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW）
･電源電圧：DC±5V ±5％
･電源電流：＋5V：200mA max.　-5V：100mA max. （無負荷時）
◎機械的仕様
･質量：160g（コード含まず）
･直径（コード含まず）：56mm
◎環境条件
･動作温度：0℃～50℃
･保存温度：-10℃～60℃
･湿度：90％RH以下（結露無きこと）
･振動：5G , 20～200Hz以下
･衝撃：30G , 11msec以下

◎電気的仕様
･本体パルス：225,000パルス/回転
･出力：正弦波インクリメンタル信号
･平衡出力（ A , /A , B , /B相正弦波）
･Z相：差動ラインドライバー出力
･最高応答回転速度：180rpm（3rps）
･光源：半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW）
･電源電圧 DC±5V ±5％
電源電流 ＋5V ： 260mA max. -5V ： 60mA max. （無負荷時）
◎機械的仕様
･回転体の慣性モーメント 1.45×103g cm2
･質量（コード含まず）：検出ユニット 1.2kg
･ディスクユニット：0.26kg
◎環境条件
･動作温度 10℃～40℃
･保存温度 -10℃～60℃
･湿度 80％RH以下（結露無きこと）
･振動 5G , 250Hz以下
･衝撃 30G , 11msec以下

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン
・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能
・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応
・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応
・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能
・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 　　　
【L&Sパターン標準品（3種用意）】
パターン寸法：hp60nm/hp75nm/hp100nm
パターン深さ：150nm±15nm（各hp共通）
パターンエリア：□24mm（各hp共通）
【標準品共通仕様】
材質：合成石英
外形寸法：34mm×32mm
基板厚：0.85mm±0.05mm
熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン
・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能
・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応
・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応
・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能
・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能
【moth-eye標準品（2種用意）】
・パターン寸法：P=160nm/P=200nm/P=250
・パターン形状：正方配列(P=160、200nm)/三方配列（P=250nm）
・パターン深さ：350nm±35nm
・パターンエリア：□24mm（共通）
【標準品共通仕様】
・材質：合成石英
・外形寸法：34㎜×32㎜
・基板厚：0.85mm±0.05㎜
・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン
・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能
・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応
・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応　
・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能
・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能
【標準品hp75nm～200nm　混在モールド】
基板サイズ：20nm□
基板厚：0.85㎜
材質：合成石英
パターン領域：4mm□
パターン幅：75m/100nm/150nm/200nm
パターン深さ：200nm

新製品

安全重視！
水素、その他の可燃性ガスにも対応

※無料貸出機あります。

NIワイヤレスセンサネットワーク（WSN）プラットフォームを利用すると、ローカル解析・制御機能を備え、工業規格にも準拠した信頼性の高いバッテリー式の計測ノードで、資産や環境を簡単にモニタリングできます。各ワイヤレスネットワークは、数十から数百ノードに拡張できるほか、既存の計測・制御システムと緊密に統合することも可能です。

『ZooCam(ズーカム)　FT-G40』について
マイクロスコープ本体に3インチ液晶を搭載し、コードレスを実現しました。
複数の人数での使用時に液晶モニターをご覧いただくことで、順番にレンズを直接のぞき込む必要が無くなり観察が容易です。
さらに、SDカードに静止画や動画を保存することが可能です。VGAで30fpsでの動画再生・録画も可能となっているほか、付属のビデオ出力ケーブルを使って、動画の外部出力もできます。デジタルカメラ感覚の簡単・快適操作により、ホワイトバランス・露出補正・画像サイズ選択・分割表示に対応しています。

掃除機のパワーで、サイクロン内部に遠心力を発生させ、粉体と吸引と同時に回収することができます。
フィルターを通さないので目詰まりの心配がありません。　

フィルター不要
小麦粉の回収率100％
キャスター付　移動も簡単！

当製品は、その優れた特性と多種多様性により各産業で使用され、適用場所は益々増えており、潜在的需要は膨大なものがあります。　

採用分野例：
自動車／鉄道／船舶／橋梁／精密機器／航空・宇宙機器／産業機器／半導体製造装置　等　

●小惑星探査機「はやぶさ」で培われた技術は、様々な分野の業界で採用されております。　

■少量からのオーダーメイドも可能！！お客様のニーズに合った潤滑剤をオーダーメイドで作製致します。

カルマン渦が風速を均一に整えます。　
端から端まで均一なエアー　

特許取得！　

フラットエアーノズル　
●オールSUS304製　

省エネタイプ・高圧ブロワ用有ります。　

急速乾燥／均一加熱／表面熱処理／水切り／除塵／冷却

当社では永年培ってきた超音速ジェット粉砕機の技術を利用した、全く新しい気液二流体ノズルを用いた湿式粉砕・分散装置「メンサ」を開発しました。被粉砕を発熱させることなくコンタミネーションが極端に少なく粉砕・分散することができる上、従来の乾式ジェット粉砕機では到達出来なかったサブミクロン・ナノ粒子を低コストで容易に製造することを可能にしました。　

（特許出願中)

【用途】
・付着性の強い微粉体でも粉砕可能　
・高度なシール技術は不要　
・コンタミネーションがほとんどない　
・発熱がない　
・騒音がない　
・分解・清掃性に優れる　
・安全である