パルブラスは、エアーパルスを利用して最少の空気量で最大の効果を発揮する粉粒体ホッパー、集塵機ホッパー、コンテナタンクなどの内壁に発生するブリッジ、ラットホールブレーカーです。
またエアパルサーはブラスター用バルブとしても使用できます。

◎仕様
･本体構成
光学センサー S-150Z/200/信号処理ユニット P-100Z
･測定速度範囲 -75～15,000mm/sec
･光学センサー（S-150Z/200） 測定点距離 200mm（センサー端面より）
･測定点深度 ±5mm（測定点距離より）
･外形寸法 77mm（W）×245mm（D）×65.5mm（H）
･信号処理ユニット（P-100Z） パルス出力
･測長分解能 7.5～60μm/pulse（レンジ切替え4段階）
･ドップラ出力周波数範囲 180～4200kHz
FV出力 出力レンジ切替え
レンジ 1 -75～15,000mm/sec:-0.025～5V
レンジ 2 -75～1875mm/sec:-0.2～5V
レンジ 3 -75～937.5mm/sec:-0.4～5V
レンジ 4 -75～468.75mm/sec:-0.8～5V
･変動周波数応答 0～300Hz

仕様
・ラジアル剛性（N/µm） 34.3
・アキシャル剛性（N/µm） 205.8
・常用ラジアル負荷容量（N） 68.6
・MAXラジアル負荷容量（N） 85.8
・常用アキシャル負荷容量（N） 411.6
・MAXアキシャル負荷容量（N） 514.5
・ラジアル回転精度（µm） 0.05
・アキシャル回転精度（µm） 0.03
・回転数MAX（rpm） 15,000
・空気消費量（Nl/min） 8
・回転部 慣性モーメント（kg・m2） 1.32×10-3
・重量（kg） 3.9

◎仕様
･A相B相信号：矩形波出力/差動ラインドライバー出力
･Z相パルス出力：差動ラインドライバー出力（A相、B相とは非同期）
･分解能：0.01µm（80分割）
･最大応答周波数 矩形波出力：100kHz（80分割）
･電源電圧 DC＋5V ±5％
◎環境条件
･動作温度：10℃～40℃
･保存温度：-10℃～50℃
･湿度：80％RH以下（結露無きこと）
･振動：10G , 500Hz以下（ヘッド）/3G , 200Hz以下（スケール）
･衝撃：60G , 11msec以下
◎スケール
･格子ピッチ：1.6µm（at 23℃）
･有効長：10mm（台座あり）
･有効長別直線精度（注：台座ありの場合）
･MS-08／10 ：±0.08µm
（レーザー干渉測長器との比較測定において at 23℃）
･熱膨張係数：5.2×10-7/℃（石英）

仕様
・ラジアル剛性（N/µm） 205.8
・アキシャル剛性（N/µm） 1176
・常用ラジアル負荷容量（N） 411.6
・MAXラジアル負荷容量（N） 514.5
・常用アキシャル負荷容量（N） 2352
・MAXアキシャル負荷容量（N） 2940
・ラジアル回転精度（µm） 0.05
・アキシャル回転精度（µm） 0.03
・回転数MAX（rpm） 2,500
・空気消費量（Nl/min） 35
・回転部 慣性モーメント（kg・m2） 2.77×10-1
・重量（kg） 77.0

仕様
・ラジアル剛性（N/µm） 166.6
・アキシャル剛性（N/µm） 705.6
・常用ラジアル負荷容量（N） 333.2
・MAXラジアル負荷容量（N） 416.5
・常用アキシャル負荷容量（N） 1411
・MAXアキシャル負荷容量（N） 1764
・ラジアル回転精度（µm） 0.05
・アキシャル回転精度（µm） 0.03
・回転数MAX（rpm） 3,000
・空気消費量（Nl/min） 20
・回転部 慣性モーメント（kg・m2） 6.00×10-2
・重量（kg） 39.0

仕様
・ラジアル剛性（N/µm） 98.0
・アキシャル剛性（N/µm） 558.6
・常用ラジアル負荷容量（N） 196.0
・MAXラジアル負荷容量（N） 245.0
・常用アキシャル負荷容量（N） 1117.0
・MAXアキシャル負荷容量（N） 1397.0
・ラジアル回転精度（µm） 0.05
・アキシャル回転精度（µm） 0.03
・回転数MAX（rpm） 5,000
・空気消費量（Nl/min） 15
・回転部 慣性モーメント（kg・m2） 2.98×10-2
・重量（kg） 22.0

◎仕様
･A相B相信号：矩形波出力/差動ラインドライバー出力
･Z相パルス出力：差動ラインドライバー出力（A相、B相とは非同期）
･分解能：0.01µm（80分割）
･最大応答周波数：矩形波出力：100kHz（80分割）
･電源電圧：DC＋5V ±5％
◎環境条件
･動作温度 10℃～40℃
･保存温度 -10℃～50℃
･湿度 80％RH以下（結露無きこと）
･振動 10G , 500Hz以下（ヘッド）/3G , 200Hz以下（スケール）
･衝撃 60G , 11msec以下
◎スケール
･格子ピッチ 1.6µm（at 23℃）
･有効長 10mm（台座あり）
･有効長別直線精度（注：台座ありの場合）
･MS-08／10 ：±0.08µm
（レーザー干渉測長器との比較測定において at 23℃）
･熱膨張係数：5.2×10-7/℃（石英）

仕様
・ラジアル剛性（N/µm） 55.9
・アキシャル剛性（N/µm） 323.4
・常用ラジアル負荷容量（N） 111.8
・MAXラジアル負荷容量（N） 139.8
・常用アキシャル負荷容量（N） 646.8
・MAXアキシャル負荷容量（N） 808.5
・ラジアル回転精度（µm） 0.05
・アキシャル回転精度（µm） 0.03
・回転数MAX（rpm） 10,000
・空気消費量（Nl/min） 10
・回転部 慣性モーメント（kg・m2） 4.85×10-3
・重量（kg） 8.5

仕様
・ラジアル剛性（N/µm） 49
・アキシャル剛性（N/µm） 35.3
・常用ラジアル負荷容量（N） 98.0
・MAXラジアル負荷容量（N） 122.5
・常用アキシャル負荷容量（N） 70.6
・MAXアキシャル負荷容量（N） 88.2
・ラジアル回転精度（µm） 0.05
・アキシャル回転精度（µm） 0.03
・回転数MAX（rpm） 22,000
・空気消費量（Nl/min） 12
・回転部 慣性モーメント（kg・m2） 2.47×10-4
・重量（kg） 2.3

仕様
・ラジアル剛性（N/µm） 24.5
・アキシャル剛性（N/µm） 35.3
・常用ラジアル負荷容量（N） 49.0
・MAXラジアル負荷容量（N） 61.3
・常用アキシャル負荷容量（N） 70.6
・MAXアキシャル負荷容量（N） 88.2
・ラジアル回転精度（µm） 0.05
・アキシャル回転精度（µm） 0.03
・回転数MAX（rpm） 20,000
・空気消費量（Nl/min） 6
・回転部 慣性モーメント（kg・m2） 1.92×10-4
・重量（kg） 1.5

■ディップスイッチによりアップ／ダウンパルス出力、またはA相B相矩形波出力の選択が可能
■1000～100分割まで、8段階の分割数セレクトが可能
◎仕様
･A相、B：差動ラインドライバー出力
･アップ／ダウン：差動ラインドライバー出力
･Z相：差動ラインドライバー出力（A相、B相とは非同期）
･Z相パルス幅：100±20µsec
･電源電圧：DC＋5V ±5％
◎環境条件
･動作温度：10℃～40℃
･保存温度：-10℃～50℃
･湿度：80％RH以下（結露無きこと）
･振動：10G , 500Hz以下（ヘッド）/3G , 200Hz以下（スケール）
･衝撃：60G , 11msec以下
◎スケール
･格子ピッチ：1.6µm（at 23℃）
･有効長別直線精度（注：台座ありの場合）
MS-08／10 mm：±0.08µm
（レーザー干渉測長器との比較測定において at 23℃）
膨張係数 5.2×10-7/℃（石英）

◎仕様
･本体構成
光学センサー S-100Z /信号処理ユニット P-100Z
･測定速度範囲 -50～10,000mm/sec
･光学センサー（S-100Z） 測定点距離 40mm（センサー端面より）
･測定点深度 ±5mm（測定点距離より）
･外形寸法 33mm（W）×98mm（D）×30mm（H）
･信号処理ユニット（P-100Z） パルス出力 測長分解能 5～40μm/pulse（レンジ切替え4段階）
･ドップラ出力周波数範囲 180～4200kHz
･FV出力 出力レンジ切替え
レンジ 1 -50～10,000mm/sec:-0.025～5V
レンジ 2 -50～1250mm/sec:-0.2～5V
レンジ 3 -50～625mm/sec:-0.4～5V
レンジ 4 -50～312.5mm/sec:-0.8～5V
･変動周波数応答性 0～300Hz

◎仕様
･本体構成
光学センサーS-100Z /信号処理ユニット P-20Z
･測定速度範囲 -200～2000mm/sec
･光学センサー（S-100Z） 測定点距離 40mm（センサー端面より）
･測定点深度 ±5mm（測定点距離より）
･外形寸法 33mm（W）×98mm（D）×30mm（H）
･信号処理ユニット（P-20Z） パルス出力
･測長分解能 2.5～320µm/pulse（レンジ切替え8段階）
･ドップラ出力周波数範囲 120～1000kHz（-80～800kHz）
･FV出力 出力レンジ切替え
レンジ 1 -200～2000mm/sec：-0.5～5Ｖ
レンジ 2 -200～1000mm/sec：-1.0～5V
レンジ 3 -200～500mm/sec：-2.0～5V
レンジ 4 -200～250mm/sec：-4.0～5V
･変動周波数応答性 0～300Hz

■ディップスイッチによりアップ／ダウンパルス出力、またはA相B相矩形波出力の選択が可能
■1000～100分割まで、8段階の分割数セレクトが可能
◎仕様
･A相、B相：差動ラインドライバー出力
･アップ／ダウン：差動ラインドライバー出力
･Z相：差動ラインドライバー出力（A相、B相とは非同期）
･Z相パルス幅 100±20µsec
･電源電圧 DC＋5V ±5％
◎環境条件
･動作温度 10℃～40℃
･保存温度 -10℃～50℃
･湿度 80％RH以下（結露無きこと）
･振動 10G , 500Hz以下（ヘッド）/3G , 200Hz以下（スケール）
･衝撃 60G , 11msec以下
◎スケール
･格子ピッチ：3.2µm（at 23℃）
･有効長別直線精度（注：台座ありの場合）
MS-16／10 mm：±0.09µm
（レーザー干渉測長器との比較測定において at 23℃）
膨張係数 5.2×10-7/℃（石英）

仕様
・ラジアル剛性（N/µm） 12.7
・アキシャル剛性（N/µm） 19.6
・常用ラジアル負荷容量（N） 25.4
・MAXラジアル負荷容量（N） 31.8
・常用アキシャル負荷容量（N） 39.2
・MAXアキシャル負荷容量（N） 49.0
・ラジアル回転精度（µm） 0.07
・アキシャル回転精度（µm） 0.04
・回転数MAX（rpm） 30,000
・空気消費量（Nl/min） 4
・回転部 慣性モーメント（kg・m2） 1.23×10-5
・重量（kg） 0.3

◎SR-P1000 仕様
･電源 DC+5V±5% 250mA max
･光源 LED 中心波長650nm（Typ.）
･動作温度 0～60℃ 90%RH以下（結露無きこと）
･保存温度 -20℃～60℃ 90%RH以下（結露無きこと）
･振動／衝撃 1.5G 20～250Hz / 30G 減衰時間 11msec
･外形寸法 センサーヘッド 23mm(L)×15mm(W)×8.6mm(H)
･分割ユニット 90mm(L)×54mm(W)×20mm(H)
･質量 ヘッド：30g（ケーブル含む） 分割ユニット120g

◎電気的仕様
･本体パルス：81,000パルス/回転
･出力：二相正弦波インクリメンタル信号/アナログ差動出力
･Z相TTL出力
･累積誤差 20arc-secp-p以内
･最高応答回転速度：185rpm（3rps）
･光源：半導体レーザー（波長780nm,最大出力5mW）
･電源電圧：DC±5V ±5％
･電源電流：＋5V：200mA max.　-5V：100mA max. （無負荷時）
◎機械的仕様
･質量：160g（コード含まず）
･直径（コード含まず）：56mm
◎環境条件
･動作温度：0℃～50℃
･保存温度：-10℃～60℃
･湿度：90％RH以下（結露無きこと）
･振動：5G , 20～200Hz以下
･衝撃：30G , 11msec以下

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン
・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能
・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応
・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応
・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能
・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能 　　　
【L&Sパターン標準品（3種用意）】
パターン寸法：hp60nm/hp75nm/hp100nm
パターン深さ：150nm±15nm（各hp共通）
パターンエリア：□24mm（各hp共通）
【標準品共通仕様】
材質：合成石英
外形寸法：34mm×32mm
基板厚：0.85mm±0.05mm
熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）

・最大8インチウエハへの大面積つなぎパターン
・hp：80nm（L&S）を、±10nm以下の繋ぎ合わせ精度で8インチ全面に再現良くパターンニング可能
・太陽電池やLEDへの応用が期待されているナノインプリント技術に対応
・ナノインプリントに限らず、様々な光学素子にも対応
・半導体プロセスを使用し、量産性の優れた安価なモール ドを製作可能
・半導体プロセスを応用した石英への超微細加工（一部Si等の基板にも対応可）/御希望の側壁角度の制御が可能
【moth-eye標準品（2種用意）】
・パターン寸法：P=160nm/P=200nm/P=250
・パターン形状：正方配列(P=160、200nm)/三方配列（P=250nm）
・パターン深さ：350nm±35nm
・パターンエリア：□24mm（共通）
【標準品共通仕様】
・材質：合成石英
・外形寸法：34㎜×32㎜
・基板厚：0.85mm±0.05㎜
・熱膨張率：≦6.5×10-7（15～300℃）