Silicon Carbide／Gallium Nitride

シリコンに比べてバンドギャップ幅が約3倍広く、熱伝導率も高いという特性を活かし、各種光デバイスの他、次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。　

1.熱伝導率が大きく放射性に優れている　
2.高温での動作が可能　
3.電子の飽和速度が大きい　
4.絶縁破壊電圧が高い